文献
J-GLOBAL ID:201302242014163636
整理番号:13A1087313
半導体上のエピタキシャル強誘電酸化物-負性キャパシタンスデバイスへの手段
Epitaxial ferroelectric oxides on semiconductors- A route towards negative capacitance devices
著者 (6件):
DROOPAD R.
(Dept. of Physics, Texas State Univ., San Marcos, TX 78666, USA)
,
CONTRERAS-GUERRERO R.
(Dept. of Physics, Texas State Univ., San Marcos, TX 78666, USA)
,
VEAZEY J.p.
(Dept. of Physics, Univ. of Pittsburgh, PA 15260, USA)
,
QIAO Q.
(Dept. of Physics, Univ. of Illinois - Chicago, Chicago, IL 60607, USA)
,
KLIE R.f.
(Dept. of Physics, Univ. of Illinois - Chicago, Chicago, IL 60607, USA)
,
LEVY J.
(Dept. of Physics, Univ. of Pittsburgh, PA 15260, USA)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
109
ページ:
290-293
発行年:
2013年09月
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)