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文献
J-GLOBAL ID：201302242094161590
整理番号：13A1648720
30nm 1.2V 4Gb 3.2Gb/s/pin DDR4 SDRAMの異種デュアルDLLと量子化誤差最小化ZQキャリブレーション
A Heterogeneous Dual DLL and Quantization Error Minimized ZQ Calibration for 30nm 1.2V 4Gb 3.2Gb/s/pin DDR4 SDRAM
NA Taesik
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SHIM Yong
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
SONG Indal
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KIM Jeong-Kyoum
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
HYUN Seokhun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KIM Jun-Bae
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
CHOI Jung-Hwan
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
KIM Chi-Wook
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
LEE Jung-Bae
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
,
CHOI Joo Sun
(Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2013 ページ： 199-200 発行年： 2013年
JST資料番号： W0767A ISSN： 2158-5601 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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