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文献
J-GLOBAL ID：201302242289310132
整理番号：13A1054745
直接Cu基板上に成長した単一垂直配列ZnOナノワイヤにおける抵抗スイッチング
Resistive switching in single vertically-aligned ZnO nanowire grown directly on Cu substrate
DUGAICZYK Lars
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
DUGAICZYK Lars
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
DUGAICZYK Lars
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA)
,
NGO-DUC Tam-triet
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
NGO-DUC Tam-triet
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
GACUSAN Jovi
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
GACUSAN Jovi
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
SINGH Karandeep
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
SINGH Karandeep
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
YANG Jonathan
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
YANG Jonathan
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
SANTHANAM Sarnath
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
SANTHANAM Sarnath
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA)
,
HAN Jin-woo
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
HAN Jin-woo
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
KOEHNE Jessica E.
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
KOEHNE Jessica E.
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
KOBAYASHI Nobuhiko P.
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
KOBAYASHI Nobuhiko P.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA)
,
MEYYAPPAN M.
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
OYE Michael M.
(NASA Ames Res. Center, NASA Ames Center for Nanotechnology, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
OYE Michael M.
(UCSC/NASA-ARC Advanced Studies Laboratories, NASA Ames Res. Center, Moffett Field, CA 94035, USA)
,
OYE Michael M.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California Santa Cruz, Santa Cruz, CA 95064, USA)
資料名：
Chemical Physics Letters
(Chemical Physics Letters)
巻： 575 ページ： 112-114 発行年： 2013年06月21日
JST資料番号： B0824A ISSN： 0009-2614 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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