文献
J-GLOBAL ID:201302242450496500
整理番号:13A1317109
大強度GaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタに向けた研究
Working toward high-power GaN/InGaN heterojunction bipolar transistors
著者 (8件):
SHEN Shyh-Chiang
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
DUPUIS Russell D
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
LOCHNER Zachery
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
LEE Yi-Che
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
KAO Tsung-Ting
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
ZHANG Yun
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
KIM Hee-Jin
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
RYOU Jae-Hyun
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
28
号:
7
ページ:
074025,1-8
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)