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文献
J-GLOBAL ID：201302242635836499
整理番号：13A1040229
p型電荷キャリアを持つVIII族包接化合物Ba8Ga15.9Sn30.1-xGexの結晶成長と熱電気特性
Crystal growth and thermoelectric properties of type-VIII clathrate Ba8Ga15.9Sn30.1-xGex with p-type charge carriers
CHEN Yue-Xing
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
DU Bao-Li
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
DU Bao-Li
(Henan Polytechnic Univ., Jiaozuo, CHN)
,
SAIGA Yuta
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
KAJISA Kousuke
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
TAKABATAKE Toshiro
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名：
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46 号： 20 ページ： 205302,1-6 発行年： 2013年05月22日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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