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文献
J-GLOBAL ID：201302243358591994
整理番号：13A0247395
MOCVDによって成長したInGaAs/GaAsヘテロ構造におけるインジウム偏析の熱力学と反応速度論
Thermodynamics and kinetics of indium segregation in InGaAs/GaAs heterostructures grown by MOCVD
SOZYKIN A.s.
(Bauman Moscow Technical Univ., Kaluga Branch, Bazhenov str. 2, Kaluga 248000, RUS)
,
STRELCHENKO S.s.
(Bauman Moscow Technical Univ., Kaluga Branch, Bazhenov str. 2, Kaluga 248000, RUS)
,
PROKOLKIN E.v.
(Bauman Moscow Technical Univ., Kaluga Branch, Bazhenov str. 2, Kaluga 248000, RUS)
,
LADUGIN M.a.
(Sigm Plus Co., Vvedenskogo Str. 3, Moscow 117342, RUS)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 363 ページ： 253-257 発行年： 2013年01月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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