文献
J-GLOBAL ID:201302243507377194
整理番号:13A0988551
平滑で化学量論的GaN表面を保持するための高温窒素プラスマエッチング
A High-Temperature Nitrogen Plasma Etching for Preserving Smooth and Stoichiometric GaN Surface
著者 (6件):
KOMETANI Ryosuke
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Kenji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Keigo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKINE Makoto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
6
号:
5
ページ:
056201.1-056201.4
発行年:
2013年05月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)