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文献
J-GLOBAL ID:201302243507377194   整理番号:13A0988551

平滑で化学量論的GaN表面を保持するための高温窒素プラスマエッチング

A High-Temperature Nitrogen Plasma Etching for Preserving Smooth and Stoichiometric GaN Surface
著者 (6件):
KOMETANI Ryosuke
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
ISHIKAWA Kenji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
TAKEDA Keigo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SEKINE Makoto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 056201.1-056201.4  発行年: 2013年05月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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