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文献
J-GLOBAL ID：201302243640607593
整理番号：13A1317050
MgドーピングはGaNにおける転位コア構造に影響する
Mg Doping Affects Dislocation Core Structures in GaN
RHODE S. K.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HORTON M. K.
(Imperial Coll. London, London, GBR)
,
KAPPERS M. J.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
ZHANG S.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
HUMPHREYS C. J.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
DUSANE R. O.
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
,
SAHONTA S.-L.
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
MORAM M. A.
(Imperial Coll. London, London, GBR)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 111 号： 2 ページ： 025502.1-025502.4 発行年： 2013年07月12日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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