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文献
J-GLOBAL ID：201302244568960603
整理番号：13A0827825
段階的遮蔽された酸化物を通る軽ドーピングのドレイン注入された横方向拡散金属酸化物半導体トランジスタの特性
Characteristics of Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors with Lightly Doped Drain Implantation through Gradual Screen Oxide
YAN Chin-Rung
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Jone F.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN Chung-Yi
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
HSU Hao-Tang
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
LIAO Yu-Jie
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
YANG Min-Ti
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Chih-Yuan
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
LIN Yin-Chia
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Huei-Haurng
(PowerChip Technol. Corp., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 4,Issue 2 ページ： 04CC07.1-04CC07.4 発行年： 2013年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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