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文献
J-GLOBAL ID:201302245348113302   整理番号:13A1079467

Hf0.5Zr0.5O3薄膜の厚みとアニーリング温度に従う相と強誘電特性の進展

Evolution of phases and ferroelectric properties of thin Hf0.5Zr0.5O2 films according to the thickness and annealing temperature
著者 (6件):
HYUK PARK Min
(WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
JOON KIM Han
(WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
JIN KIM Yu
(WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
LEE Woongkyu
(WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
MOON Taehwan
(WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)
SEONG HWANG Cheol
(WCU Hybrid Materials Program, Dep. of Material Sci. & Engineering and Inter-university Semiconductor Res. Center ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 102  号: 24  ページ: 242905-242905-5  発行年: 2013年06月17日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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