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文献
J-GLOBAL ID：201302246263833434
整理番号：13A0151710
シリコンナノワイヤのSi/SiO2界面欠陥の研究
Investigations on the Si/SiO2 interface defects of silicon nanowires
CUI L.
(Suqian Coll., Fundamental Dep., Suqian 223800, CHN)
,
XIA W.w.
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Yangzhou Univ., Yangzhou 225002, CHN)
,
WANG F.
(Suqian Coll., Fundamental Dep., Suqian 223800, CHN)
,
YANG L.j.
(Suqian Coll., Fundamental Dep., Suqian 223800, CHN)
,
HU Y.j.
(Hubei Univ. of Automotive Technol., Shiyan 442002, CHN)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 409 ページ： 47-50 発行年： 2013年01月15日
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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