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文献
J-GLOBAL ID:201302246263833434   整理番号:13A0151710

シリコンナノワイヤのSi/SiO2界面欠陥の研究

Investigations on the Si/SiO2 interface defects of silicon nanowires
著者 (5件):
CUI L.
(Suqian Coll., Fundamental Dep., Suqian 223800, CHN)
XIA W.w.
(Coll. of Physics Sci. and Technol., Yangzhou Univ., Yangzhou 225002, CHN)
WANG F.
(Suqian Coll., Fundamental Dep., Suqian 223800, CHN)
YANG L.j.
(Suqian Coll., Fundamental Dep., Suqian 223800, CHN)
HU Y.j.
(Hubei Univ. of Automotive Technol., Shiyan 442002, CHN)

資料名:
Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)

巻: 409  ページ: 47-50  発行年: 2013年01月15日 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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