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文献
J-GLOBAL ID：201302246318797530
整理番号：13A1087320
高帯域幅積層DRAMによる電力効率のよいLSIデバイス用の微細ピッチCu再配置配線とSnCuマイクロバンピングのプロセス集積
Process integration of fine pitch Cu redistribution wiring and SnCu micro-bumping for power efficient LSI devices with high-bandwidth stacked DRAM
EZAWA Hirokazu
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
EZAWA Hirokazu
(The Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda Univ., JPN)
,
TOGASAKI Takashi
(Toshiba Corp., Corporate Manufacturing Engineering Centre, JPN)
,
MIGITA Tatsuo
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
YAMASHITA Soichi
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
INOHARA Masahiro
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
KOSHIO Yasuhiro
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
FUKUDA Masatoshi
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
MIYATA Masahiro
(Toshiba Corp., Semiconductor & Storage Products Co., JPN)
,
TATSUMI Kohei
(The Graduate School of Information, Production and Systems, Waseda Univ., JPN)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 103 ページ： 22-32 発行年： 2013年03月
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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