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文献
J-GLOBAL ID：201302247109286958
整理番号：13A1077174
中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価
Fabricaton and evaluation of BGaN for the realization of neutron semiconductor detector
渥美勝浩
(静岡大 大学院工学系研究科)
,
三宅亜紀
(静岡大 大学院工学系研究科)
,
三村秀典
(静岡大 電子工研)
,
井上翼
(静岡大 大学院工学系研究科)
,
青木徹
(静岡大 電子工研)
,
中野貴之
(静岡大 大学院工学系研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 40(CPM2013 1-21) ページ： 19-22 発行年： 2013年05月09日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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