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文献
J-GLOBAL ID：201302247175363211
整理番号：13A0751646
水分吸着に関するシリコン表面帯電研究のための横音響電気効果の応用
Application of the transverse acoustoelectric effect to studying silicon surface charging upon water adsorption
GROMASHEVSKII V. L.
(National Acad. of Sciences, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, pr. Nauki 41, 03028, Kyiv, UKR)
,
TATYANENKO N. P.
(National Acad. of Sciences, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, pr. Nauki 41, 03028, Kyiv, UKR)
,
SNOPOK B. A.
(National Acad. of Sciences, Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, pr. Nauki 41, 03028, Kyiv, UKR)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 47 号： 4 ページ： 579-585 発行年： 2013年04月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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