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文献
J-GLOBAL ID:201302247301918453   整理番号:13A1002515

導電分域モデルのスイッチングに基づく(Ba0.6Sr0.4)TiO3薄膜の電場誘起抵抗スイッチング

Field-induced resistive switching of (Ba0.6Sr0.4)TiO3 thin films based on switching of conducting domains model
著者 (2件):
HE Xiliang
(State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...)
LI Xiaomin
(State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 102  号: 22  ページ: 221601-221601-3  発行年: 2013年06月03日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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