文献
J-GLOBAL ID:201302247301918453
整理番号:13A1002515
導電分域モデルのスイッチングに基づく(Ba0.6Sr0.4)TiO3薄膜の電場誘起抵抗スイッチング
Field-induced resistive switching of (Ba0.6Sr0.4)TiO3 thin films based on switching of conducting domains model
著者 (2件):
HE Xiliang
(State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...)
,
LI Xiaomin
(State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructures, Shanghai Inst. of Ceramics, Chinese Acad. ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
22
ページ:
221601-221601-3
発行年:
2013年06月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)