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文献
J-GLOBAL ID：201302247355864472
整理番号：13A1823786
400keVのセシウムイオンを注入した3C炭化ケイ素の再結晶化速度論
Recrystallization Kinetics of 3C Silicon Carbide Implanted with 400keV Cesium Ions
OSTERBERG Daniel D.
(Boise State Univ., Idaho)
,
YOUNGSMAN John
(Boise State Univ., Idaho)
,
YOUNGSMAN John
(Center for Advanced Energy Studies, Idaho)
,
UBIC Rick
(Boise State Univ., Idaho)
,
UBIC Rick
(Center for Advanced Energy Studies, Idaho)
,
REIMANIS Ivar E.
(Colorado School of Mines, Colorado)
,
BUTT Darryl P.
(Boise State Univ., Idaho)
,
BUTT Darryl P.
(Center for Advanced Energy Studies, Idaho)
資料名：
Journal of the American Ceramic Society
(Journal of the American Ceramic Society)
巻： 96 号： 10 ページ： 3290-3295 発行年： 2013年10月
JST資料番号： C0253A ISSN： 0002-7820 CODEN： JACTAW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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