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文献
J-GLOBAL ID：201302248179926810
整理番号：13A0540513
再成長Ohm接触を用いたAlGaNベースの横方向電流注入型レーザダイオード
AlGaN-Based Lateral Current Injection Laser Diodes Using Regrown Ohmic Contacts
SATTER Md. Mahbub
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
LOCHNER Zachary
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
RYOU Jae-Hyun
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
SHEN Shyh-Chiang
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
DUPUIS Russell D.
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
YODER Paul Douglas
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 25 号： 1-4 ページ： 313-316 発行年： 2013年01月01日
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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