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文献
J-GLOBAL ID：201302248576658172
整理番号：13A1660401
ゲート誘電体がAl2O3とSi3N4/Al2O3のAuフリーAlGaN/GaNオンシリコンパワーデバイスの製造と性能
Fabrication and Performance of Au-Free AlGaN/GaN-on-Silicon Power Devices With Al2O3 and Si3N4/Al2O3 Gate Dielectrics
VAN HOVE Marleen
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
KANG Xuanwu
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
STOFFELS Steve
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
WELLEKENS Dirk
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
RONCHI Nicolo
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
VENEGAS Rafael
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
GEENS Karen
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
,
DECOUTERE Stefaan
(Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60 号： 10 ページ： 3071-3078 発行年： 2013年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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