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文献
J-GLOBAL ID：201302249962698436
整理番号：13A1195572
表面活性化ボンディング利用低抵抗Si/III-V接合
Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions
LIANG J.
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
NISHIDA S.
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
MORIMOTO M.
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
SHIGEKAWA N.
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 49 号： 13 ページ： 830-832 発行年： 2013年06月20日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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