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文献
J-GLOBAL ID:201302250549032770   整理番号:13A1087909

Effect of hydrogen atmosphere in Cu thin film growth by chemical vapor deposition using Cu(dmamb)2

著者 (8件):
CHOI Jong Mun
(Material Sci. and Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
LEE Dohan
(Material Sci. and Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
PARK Ji Hun
(Material Sci. and Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
KIM Chang Gyoun
(Advanced Materials Div., Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon 305-600, KOR)
CHUNG Taek-mo
(Advanced Materials Div., Korea Res. Inst. of Chemical Technol., Daejeon 305-600, KOR)
KIM Baek-mann
(R&D Div., Hynix Semiconductor Inc., Icheon 467-701, KOR)
BYUN Dongjin
(Material Sci. and Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)
BYUN Dongjin
(Nano Semiconductor Engineering, Korea Univ., Seoul 136-713, KOR)

資料名:
Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)

巻: 89  ページ: 109-115  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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