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文献
J-GLOBAL ID：201302251217948220
整理番号：13A0896484
VHF-PECVD法で堆積させた微結晶シリコン膜の基板温度依存成長特性の研究
The study of the substrate temperature depended growth properties of microcrystalline silicon films deposited by VHF-PECVD method
CHEN Yongsheng
(Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
,
CHEN Xiping
(Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
,
HAO Xiuli
(Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
,
LU Jingxiao
(Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
,
YANG Shi-e
(Key Lab of Material Physics, Dep. of Physics, Zhengzhou Univ., Zhengzhou 450052, CHN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 270 ページ： 737-740 発行年： 2013年04月01日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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