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J-GLOBAL ID:201302251517539144   整理番号:13A1439784

化学機械的平坦化による六方晶系SiC(0001)の原子ステップテラス構造の拡張研究

Extended study of the atomic step-terrace structure on hexagonal SiC (0001) by chemical-mechanical planarization
著者 (10件):
SHI Xiaolei
(The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
SHI Xiaolei
(Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN)
PAN Guoshun
(The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
PAN Guoshun
(Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN)
ZHOU Yan
(The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
ZHOU Yan
(Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN)
ZOU Chunli
(The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
ZOU Chunli
(Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN)
GONG Hua
(The State Key Lab. of Tribology, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
GONG Hua
(Shenzhen Key Lab. of Micro/Nano Manufacturing, Res. Inst. of Tsinghua Univ. in Shenzhen, Shenzhen 518057, CHN)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 284  ページ: 195-206  発行年: 2013年11月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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