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文献
J-GLOBAL ID：201302252637943760
整理番号：13A1271898
ホモエピタキシャルδドープダイヤモンド層における高角度円環暗視野透過型走査電子顕微鏡によるホウ素濃度プロファイリング
Boron concentration profiling by high angle annular dark field-scanning transmission electron microscopy in homoepitaxial δ-doped diamond layers
ARAUJO D.
(Dpto Ciencia de los Materiales, Facultad de Ciencias, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), ESP)
,
ALEGRE M. P.
(Dpto Ciencia de los Materiales, Facultad de Ciencias, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), ESP)
,
PINERO J. C.
(Dpto Ciencia de los Materiales, Facultad de Ciencias, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real (Cadiz), ESP)
,
FIORI A.
(Inst. Neel, CNRS-Universite Joseph Fourier, 25 av. des Martyrs, 38042 Grenoble, FRA)
,
BUSTARRET E.
(Inst. Neel, CNRS-Universite Joseph Fourier, 25 av. des Martyrs, 38042 Grenoble, FRA)
,
JOMARD F.
(Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (GEMaC), UMR 8635 du CNRS, UVSQ, 45 av. des Etats-Unis, 78035 Versailles ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 4 ページ： 042104-042104-4 発行年： 2013年07月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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