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文献
J-GLOBAL ID:201302252832522337   整理番号:13A1292360

Cu(111)薄膜上の大型六角形グラフェン分域のエピタキシャル成長と電子的性質

Epitaxial Growth an dElectronic Properties of Large Hexagonal Graphene Domains on Cu(111) Thin Film
著者 (12件):
AGO Hiroki
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
KAWAHARA Kenji
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
OGAWA Yui
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
TANOUE Shota
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
BISSETT Mark A.
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
TSUJI Masaharu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
SAKAGUCHI Hidetsugu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
KOCH Roland J.
(Technische Univ. Chemnitz, Chemnitz, DEU)
FROMM Felix
(Technische Univ. Chemnitz, Chemnitz, DEU)
SEYLLER Thomas
(Technische Univ. Chemnitz, Chemnitz, DEU)
KOMATSU Katsuyoshi
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
TSUKAGOSHI Kazuhito
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 075101.1-075101.4  発行年: 2013年07月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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