前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302252926156156
整理番号：13A1389679
80秒間で80000MOSFETsに対して10aAの非常に低いゲート漏れ電流を測定するテスト回路
A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10aA for 80000 MOSFETs in 80s
INATSUKA Takuya
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KUMAGAI Yuki
(LAPIS Semiconductor Miyagi Co., Ltd., Ohira, JPN)
,
KURODA Rihito
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TERAMOTO Akinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUWA Tomoyuki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUGAWA Shigetoshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI Tadahiro
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 26 号： 3 ページ： 288-295 発行年： 2013年08月
JST資料番号： T0521A ISSN： 0894-6507 CODEN： ITSMED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。