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文献
J-GLOBAL ID：201302253050066150
整理番号：13A0794484
14nm及びそれを超えて,非晶質金属ゲートを用いたFinFETのVt及びGm可変性の抑制
Suppressing Vt and Gm Variability of FinFETs Using Amorphous Metal Gates for 14nm and Beyond
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
LIU Yongxun
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TSUKADA Junichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMAUCHI Hiromi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ISHIKAWA Yuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
O’UCHI Shin-ichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MORITA Yukinori
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012 ページ： 175-178 発行年： 2012年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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