文献
J-GLOBAL ID:201302253231426280
整理番号:13A0680693
SOI基板を用いたパリレンベースの高アスペクト比サスペンション構造の製作
Fabrication of Parylene-Based High-Aspect-Ratio Suspended Structure Using a Silicon-on-Insulator Wafer
著者 (2件):
KUO Wen-Cheng
(National Kaohsiung First Univ. Sci. and Technol., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Chen-Wei
(National Kaohsiung First Univ. Sci. and Technol., Kaohsiung, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
3,Issue 1
ページ:
036501.1-036501.5
発行年:
2013年03月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)