文献
J-GLOBAL ID:201302253245861788
整理番号:13A1824667
InGaN発光ダイオードの静電放電許容度の低周波雑音解析
Low-Frequency Noise Analysis of Electrostatic Discharge Tolerance of InGaN Light-Emitting Diodes
著者 (6件):
CHEN Tzung-Te
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
FU Han-Kuei
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
DAI Chun-Fan
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
WANG Chien-Ping
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHU Chun-Wen
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHOU Pei-Ting
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
11
ページ:
3794-3798
発行年:
2013年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)