文献
J-GLOBAL ID:201302253253858532
整理番号:13A0794487
縞状ゲート構成を通しての接合空乏変調に基づいた36mV/decサブ閾値傾斜をもつ新しいSiトンネルFET
A Novel Si Tunnel FET with 36mV/dec Subthreshold Slope Based on Junction Depleeted-Modulation through Striped Gate Configuration
著者 (7件):
HUANG Qianqian
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HUANG Ru
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHAN Zhan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
QIU Yingxin
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
JIANG Wenzhe
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WU Chunlei
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Yangyuan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
187-190
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)