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文献
J-GLOBAL ID：201302253393110589
整理番号：13A0579060
InAs挿入層を持った選択ドープInAlAs/InGaAs/InAlAsヘテロ構造中の電子の最大ドリフト速度
Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts
SILENAS A.
(Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU)
,
POZELA Yu.
(Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU)
,
POZELA K.
(Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU)
,
JUCIENE V.
(Center for Physical Sciences and Technol., Semiconductor Physics Inst., 01108, Vilnius, LTU)
,
VASIL’EVSKII I. S.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
,
VASIL’EVSKII I. S.
(National Res. Nuclear Univ. MEPhI, 115409, Moscow, RUS)
,
GALIEV G. B.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
,
PUSHKAREV S. S.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
,
KLIMOV E. A.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 47 号： 3 ページ： 372-375 発行年： 2013年03月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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