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文献
J-GLOBAL ID：201302253793116519
整理番号：13A1753693
固相エピタクシーを用いたSi(111)上の引張歪みGeSn金属酸化物半導体電界効果トランジスタ素子
Tensile-Strained GeSn Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Devices on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy
LIETEN Ruben R.
(KU Leuven, Leuven, BEL)
,
LIETEN Ruben R.
(IMEC, Leuven, BEL)
,
MAEDA Tatsuro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
JEVASUWAN Wipakorn
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
HATTORI Hiroyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
UCHIDA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIURA Shu
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
TANAKA Masatoshi
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
LOCQUET Jean-Pierre
(KU Leuven, Leuven, BEL)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 6 号： 10 ページ： 101301.1-101301.4 発行年： 2013年10月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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