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文献
J-GLOBAL ID：201302253911213150
整理番号：12A1798797
アドミッタンス分光法を用いた,p-GaAs/n-GaInNAsSb/n-GaAs太陽電池構造内の適度にSiドープしたGaInNAsSb層における欠陥型の同定
Identification of defect types in moderately Si-doped GaInNAsSb layer in p-GaAs/n- GaInNAsSb/n-GaAs solar cell structure using admittance spectroscopy
MONIRUL ISLAM Muhammad
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)
,
MIYASHITA Naoya
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)
,
AHSAN Nazmul
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)
,
SAKURAI Takeaki
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, JPN)
,
AKIMOTO Katsuhiro
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, JPN)
,
OKADA Yoshitaka
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol. (RCAST), The Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-Ku, Tokyo 153-8904, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 11 ページ： 114910-114910-9 発行年： 2012年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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