文献
J-GLOBAL ID:201302253962239900
整理番号:13A0037475
高電圧MOSFETのRFコンパクトモデリング
RF Compact Modeling of High-voltage MOSFETs
著者 (8件):
BAZIGOS Antonios
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Ecublens, CHE)
,
KRUMMENACHER Francois
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Ecublens, CHE)
,
SALLESE Jean-Michel
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Ecublens, CHE)
,
BUCHER Matthias
(Technical Univ. of Crete, Chania, GRC)
,
SEEBACHER Ehrenfried
(Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
,
POSCH Werner
(Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
,
MOLNAR Kund
(Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
,
TANG Mingchun
(Austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
資料名:
IETE Journal of Research (Institution of Electronics and Telecommunication Engineers)
(IETE Journal of Research (Institution of Electronics and Telecommunication Engineers))
巻:
58
号:
3
ページ:
214-221
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
C0312A
ISSN:
0377-2063
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
インド (IND)
言語:
英語 (EN)