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文献
J-GLOBAL ID：201302254481328698
整理番号：13A0009133
水中レーザアニールによる多結晶シリコン薄膜への結晶化および電気的欠陥の同時不活化
Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing
MACHIDA Emi
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
HORITA Masahiro
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
ISHIKAWA Yasuaki
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
URAOKA Yukiharu
(Graduate School of Materials Sci., Nara Inst. of Sci. and Technol., 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, JPN)
,
IKENOUE Hiroshi
(Graduate School of Information Sci. and Electrical Engineering, Kyushu Univ., 744 Motooka Nishi-ku, Fukuoka 819-0395 ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 25 ページ： 252106-252106-4 発行年： 2012年12月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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