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文献
J-GLOBAL ID：201302254908571068
整理番号：13A0766827
NiOx薄膜のポスト堆積焼鈍:短波長光電子技術のデバイスのためのn型電導性からp型電導性への遷移
Postdeposition annealing of NiOx thin films: A transition from n-type to p-type conductivity for short wave length optoelectronic devices
TYAGI Manisha
(Univ. Delhi, Delhi, IND)
,
TOMAR Monika
(Univ. Delhi, Delhi, IND)
,
GUPTA Vinay
(Univ. Delhi, Delhi, IND)
資料名：
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻： 28 号： 5 ページ： 723-732 発行年： 2013年03月14日
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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