文献
J-GLOBAL ID:201302255621908416
整理番号:13A0015165
低電圧SRAMのためのヘテロ接合バンド間トンネルFET
Heterojunction Intra-Band Tunnel FETs for Low-Voltage SRAMs
著者 (5件):
GUPTA Sumeet Kumar
(Purdue Univ., IN, USA)
,
KULKARNI Jaydeep P.
(Purdue Univ., IN, USA)
,
KULKARNI Jaydeep P.
(Intel Corp., OR, USA)
,
DATTA Suman
(Pennsylvania State Univ., PA, USA)
,
ROY Kaushik
(Purdue Univ., IN, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
12
ページ:
3533-3542
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)