文献
J-GLOBAL ID:201302255863771547
整理番号:13A0621775
GaN-on-SOIプラットフォーム上の1.4kV AlGaN/GaN HEMT
1.4-kV AlGaN/GaN HEMTs on a GaN-on-SOI Platform
著者 (4件):
JIANG Qimeng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LIU Cheng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LU Yunyou
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
CHEN Kevin J.
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
3
ページ:
357-359
発行年:
2013年03月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)