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文献
J-GLOBAL ID：201302256771790142
整理番号：13A0721910
シリコン上の条件付きエピタキシャルグラフェンのためのSi(110)基板上での3C-SiC(111)の高速回転エピタキシー
High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon
SUEMITSU Maki
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUEMITSU Maki
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SANBONSUGE Shota
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAITO Eiji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
JUNG Myung-Ho
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKIDOME Hirokazu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FILIMONOV Sergey
(Tomsk State Univ., RUS)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 740/742 ページ： 327-330 発行年： 2013年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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