文献
J-GLOBAL ID:201302256778350750
整理番号:13A0676776
SiO2上の多層MoS2電界効果トランジスタの固有のキャリア移動度
Intrinsic carrier mobility of multi-layered MoS2 field-effect transistors on SiO2
著者 (7件):
PRADHAN N. R.
(National High Magnetic Field Lab., Florida State Univ., Tallahassee, Florida 32310, USA)
,
RHODES D.
(National High Magnetic Field Lab., Florida State Univ., Tallahassee, Florida 32310, USA)
,
ZHANG Q.
(National High Magnetic Field Lab., Florida State Univ., Tallahassee, Florida 32310, USA)
,
TALAPATRA S.
(Physics Dep., Sourthern Illinois Univ., Carbondale, Illinois 62901-4401, USA)
,
TERRONES M.
(Dep. of Physics, Dep. of Materials Sci. and Engineering and Materials Res. Inst., The Pennsylvania State Univ. ...)
,
AJAYAN P. M.
(Dep. of Mechanical Engineering and Materials Sci., Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA)
,
BALICAS L.
(National High Magnetic Field Lab., Florida State Univ., Tallahassee, Florida 32310, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
12
ページ:
123105-123105-4
発行年:
2013年03月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)