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文献
J-GLOBAL ID：201302257748329736
整理番号：13A1418843
有機金属気相エピタキシーによる半極性(20<span style=text-decoration:overline>2</span>1)及び(20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>)GaN基板の選択領域成長
Selective Area Growth of Semipolar (20<span style=text-decoration:overline>2</span>1) and (20<span style=text-decoration:overline>2</span><span style=text-decoration:overline>1</span>) GaN Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
JINNO Daiki
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MA Bei
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MIYAKE Hideto
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HIRAMATSU Kazumasa
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
ENATSU Yuuki
(Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN)
,
NAGAO Satoru
(Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 8,Issue 2 ページ： 08JC06.1-08JC06.4 発行年： 2013年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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