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文献
J-GLOBAL ID：201302258254894941
整理番号：13A0942858
フレキシブルで透明なエレクロニクスのためのグラフェン-WS2ヘテロ構造に基づく垂直電界効果トランジスタ
Vertical field-effect transistor based on graphene-WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics
GEORGIOU Thanasis
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
JALIL Rashid
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
BELLE Branson D.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
BRITNELL Liam
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
GORBACHEV Roman V.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
MOROZOV Sergey V.
(Inst. Microelectronics Technol., RAS, Chernogolovka, RUS)
,
KIM Yong-Jin
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
KIM Yong-Jin
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
GHOLINIA Ali
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
HAIGH Sarah J.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
MAKAROVSKY Oleg
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
EAVES Laurence
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
EAVES Laurence
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
,
PONOMARENKO Leonid A.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
GEIM Andre K.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
NOVOSELOV Kostya S.
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
,
MISHCHENKO Artem
(Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名：
Nature Nanotechnology
(Nature Nanotechnology)
巻： 8 号： 2 ページ： 100-103 発行年： 2013年02月
JST資料番号： W2059A ISSN： 1748-3387 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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