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文献
J-GLOBAL ID：201302258593958800
整理番号：13A1283155
プラズマ支援MBEにおけるc-サファイア上のAlNの初期成長段階での貫通転位密度の制御
Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE
NECHAEV D.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
ASEEV P.a.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
JMERIK V.n.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
BRUNKOV P.n.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
KUZNETSOVA Y.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
SITNIKOVA A.a.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
RATNIKOV V.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
IVANOV S.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 378 ページ： 319-322 発行年： 2013年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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