文献
J-GLOBAL ID:201302258593958800
整理番号:13A1283155
プラズマ支援MBEにおけるc-サファイア上のAlNの初期成長段階での貫通転位密度の制御
Control of threading dislocation density at the initial growth stage of AlN on c-sapphire in plasma-assisted MBE
著者 (8件):
NECHAEV D.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
ASEEV P.a.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
JMERIK V.n.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
BRUNKOV P.n.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
KUZNETSOVA Y.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
SITNIKOVA A.a.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
RATNIKOV V.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
,
IVANOV S.v.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Polytekhnicheskaya 26, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
378
ページ:
319-322
発行年:
2013年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)