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文献
J-GLOBAL ID：201302258655355121
整理番号：13A1698797
VO2/TiO2/サファイア薄膜ヘテロ構造の構造と半導体-金属転移特性との間の相関
Correlation between structure and semiconductor-to-metal transition characteristics of VO2/TiO2/sapphire thin film heterostructures
BAYATI M.r.
(Intel Corp., IMO-SC, SC2, Santa Clara, CA 95054, USA)
,
BAYATI M.r.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA)
,
MOLAEI R.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA)
,
WU F.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA)
,
BUDAI J.d.
(Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, TN 37831-6118, USA)
,
LIU Y.
(Intel Corp., IMO-SC, SC2, Santa Clara, CA 95054, USA)
,
NARAYAN R.j.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA)
,
NARAYAN R.j.
(Joint Dep. of Biomedical Engineering, UNC Chapel Hill and North Carolina State Univ., EB-3, Raleigh, NC 27695-7115, USA)
,
NARAYAN J.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., EB-1, Raleigh, NC 27695-7907, USA)
資料名：
Acta Materialia
(Acta Materialia)
巻： 61 号： 20 ページ： 7805-7815 発行年： 2013年12月
JST資料番号： A0316A ISSN： 1359-6454 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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