文献
J-GLOBAL ID:201302258776477216
整理番号:13A1593805
セレン過剰ドープシリコンの広域X線吸収微細構造分光法
Extended X-ray absorption fine structure spectroscopy of selenium-hyperdoped silicon
著者 (10件):
NEWMAN Bonna K.
(Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
ERTEKIN Elif
(Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
SULLIVAN Joseph T.
(Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
WINKLER Mark T.
(Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
MARCUS Matthew A.
(Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
,
FAKRA Sirine C.
(Advanced Light Source, Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA)
,
SHER Meng-ju
(Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
,
MAZUR Eric
(Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
,
GROSSMAN Jeffrey C.
(Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
,
BUONASSISI Tonio
(Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
114
号:
13
ページ:
133507-133507-8
発行年:
2013年10月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)