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文献
J-GLOBAL ID：201302259089196653
整理番号：13A1087229
メタルゲート/ZrN/Zr傾斜Dy2O3/Si MISナノ積層構造の電気および物理特性に与えるZrN拡散防止キャッピング層の効果
The effect of ZrN antidiffusion capping layer on the electrical and physical properties of metal-gate/ZrN/Zr-graded Dy2O3/Si MIS nanolaminated structures
JUAN P.c.
(Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
,
LIU C.h.
(Dep. of Mechatronic Technol., National Taiwan Normal Univ., Taipei 106, Taiwan)
,
LIN C.l.
(Dep. of Electronic Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
,
MONG F.c.
(Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
,
HUANG J.h.
(Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 109 ページ： 172-176 発行年： 2013年09月
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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