文献
J-GLOBAL ID:201302259089196653
整理番号:13A1087229
メタルゲート/ZrN/Zr傾斜Dy2O3/Si MISナノ積層構造の電気および物理特性に与えるZrN拡散防止キャッピング層の効果
The effect of ZrN antidiffusion capping layer on the electrical and physical properties of metal-gate/ZrN/Zr-graded Dy2O3/Si MIS nanolaminated structures
著者 (5件):
JUAN P.c.
(Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
,
LIU C.h.
(Dep. of Mechatronic Technol., National Taiwan Normal Univ., Taipei 106, Taiwan)
,
LIN C.l.
(Dep. of Electronic Engineering, Feng Chia Univ., Taichung 407, Taiwan)
,
MONG F.c.
(Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
,
HUANG J.h.
(Dep. of Materials Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications, Ming Chi Univ. of Technol. ...)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
109
ページ:
172-176
発行年:
2013年09月
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)