前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302259132336774
整理番号：13A1431971
AlAs障壁により分離したInAsとAs量子ドットを伴ったGaAsベース構造の電子顕微鏡観察
Electron microscopy of GaAs-based structures with InAs and As quantum dots separated by an AlAs barrier
NEVEDOMSKIY V. N.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
BERT N. A.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
CHALDYSHEV V. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)
,
PREOBRAZHENSKIY V. V.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akademika Lavrent’eva 13 ...)
,
PUTYATO M. A.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akademika Lavrent’eva 13 ...)
,
SEMYAGIN B. R.
(Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, pr. Akademika Lavrent’eva 13 ...)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 47 号： 9 ページ： 1185-1192 発行年： 2013年09月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。