文献
J-GLOBAL ID:201302259242678999
整理番号:13A1758410
2x nm FDSOI技術専用のイオン注入マスクのウエハトポグラフィーモデリング
Wafer topography modeling for ionic implantation mask correction dedicated to 2x nm FDSOI technologies.
著者 (10件):
MICHEL Jean-Christophe
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
LE DENMAT Jean-Christophe
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
SUNGAUER Elodie
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ROBERT Frederic
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
YESILADA Emek
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ARMEANU Ana-Maria
(Mentor Graphics, Montbonnot Saint Martin, FRA)
,
ENTRADAS Jorge
(Mentor Graphics, Montbonnot Saint Martin, FRA)
,
STURTEVANT John L.
(Mentor Graphics Corp, OR, USA)
,
DO Thuy
(Mentor Graphics Corp, OR, USA)
,
GRANIK Yuri
(Mentor Graphics Corp, OR, USA)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
8683
ページ:
86830I.1-86830I.13
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)