文献
J-GLOBAL ID:201302259329470014
整理番号:13A0340213
同時蒸着と沈着後焼なましにより作製したCu2ZnSnSe4薄膜の原子プローブ研究
Atom probe study of Cu2ZnSnSe4 thin-films prepared by co-evaporation and post-deposition annealing
著者 (7件):
SCHWARZ T.
(Max-Planck-Institut fuer Eisenforschung, Max-Planck-Straβe 1, 40237 Duesseldorf, DEU)
,
COJOCARU-MIREDIN O.
(Max-Planck-Institut fuer Eisenforschung, Max-Planck-Straβe 1, 40237 Duesseldorf, DEU)
,
CHOI P.
(Max-Planck-Institut fuer Eisenforschung, Max-Planck-Straβe 1, 40237 Duesseldorf, DEU)
,
MOUSEL M.
(Lab. for Photovoltaics, Univ. of Luxembourg, Belvaux, Luxembourg)
,
REDINGER A.
(Lab. for Photovoltaics, Univ. of Luxembourg, Belvaux, Luxembourg)
,
SIEBENTRITT S.
(Lab. for Photovoltaics, Univ. of Luxembourg, Belvaux, Luxembourg)
,
RAABE D.
(Max-Planck-Institut fuer Eisenforschung, Max-Planck-Straβe 1, 40237 Duesseldorf, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
4
ページ:
042101-042101-4
発行年:
2013年01月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)