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文献
J-GLOBAL ID：201302259441045296
整理番号：13A1829438
限定された領域のエピタクシーを利用した臨界厚みを超えた真の半極性InGaNに基づくレーザダイオード
True green semipolar InGaN-based laser diodes beyond critical thickness limits using limited area epitaxy
HARDY Matthew T.
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
WU Feng
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
SHAN HSU Po
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
HAEGER Daniel A.
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
NAKAMURA Shuji
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
SPECK James S.
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Materials Dep., Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 114 号： 18 ページ： 183101-183101-7 発行年： 2013年11月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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