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文献
J-GLOBAL ID：201302259721182566
整理番号：13A1682582
低周波数雑音によるペンタセントランジスタにおける厚み依存電荷輸送の理解
Understanding Thickness-Dependent Charge Transport in Pentacene Transistors by Low-Frequency Noise
XU Yong
(NIMS, Ibaraki, JPN)
,
LIU Chuan
(NIMS, Ibaraki, JPN)
,
SCHEIDELER William
(Duke Univ., NC, USA)
,
LI Songlin
(NIMS, Ibaraki, JPN)
,
LI Wenwu
(NIMS, Ibaraki, JPN)
,
LIN Yen-Fu
(NIMS, Ibaraki, JPN)
,
BALESTRA Francis
(Grenoble-INP, Grenoble, FRA)
,
GHIBAUDO Gerard
(Grenoble-INP, Grenoble, FRA)
,
TSUKAGOSHI Kazuhito
(NIMS, Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 34 号： 10 ページ： 1298-1300 発行年： 2013年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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